Сликата е за референца, ве молиме контактирајте не за да ја добиете вистинската слика

SIRC18DP-T1-GE3

Број на дел од производителот:	SIRC18DP-T1-GE3
Производителот:	Vishay / Siliconix
Дел од описот:	MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Листови со податоци:	SIRC18DP-T1-GE3 Листови со податоци
Статус без олово / статус RoHS:	Без олово / усогласен со RoHS
Состојба на залиха:	На залиха
Брод од:	Hong Kong
Начин на испорака:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ЗАБЕЛЕШКА: Vishay / Siliconix SIRC18DP-T1-GE3 е достапен на chipnets.com. Продаваме само нов и оригинален дел и нудиме 1 година гаранција. Ако сакате да дознаете повеќе за производите или да примените повеќе подобра цена, ве молиме контактирајте со нас кликнете на Онлајн разговор или испратете ни понуда.

Сите компоненти на Eelctronics ќе се пакуваат многу безбедно со ESD антистатичка заштита.

package

Спецификација

Тип	Опис
Серии	TrenchFET® Gen IV
Пакет	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Статус на дел	Active
Тип на FET	N-Channel
Технологија	MOSFET (Metal Oxide)
Исцедете го до напон на изворот (Vdss)	30 V
Струја - Континуирано исцедување (Ид) @ 25 ° C	60A (Tc)
Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.1mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.4V @ 250µA
Полнење на портата (Qg) (максимум) @ Vgs	111 nC @ 10 V
Vgs (Макс)	+20V, -16V
Внесен капацитет (Ciss) (максимум) @ Vds	5060 pF @ 15 V
ФЕТ Функција	Schottky Diode (Body)
Дисипација на моќност (макс.)	54.3W (Tc)
Работна температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип на монтирање	Surface Mount
Пакет со уреди за добавувачи	PowerPAK® SO-8
Пакет / случај	PowerPAK® SO-8

ОПЦИИ ЗА КУПУВАЊЕ

Статус на акции: 4883

Минимум: 1

Квантитет	Единечната цена	лок. Цена
Цената не е достапна, ве молиме побарајте RFQ

Пресметка на товар

40 американски долари од FedEx.

Пристигнува за 3-5 дена

Експрес: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Бесплатна испорака на првите 0,5 кг за нарачки над 150 $, прекумерната тежина ќе се наплаќа посебно

Популарни модели

Оваа ставка е додадена во вашата кошничка.