Rectron USA / RM8N650T2
Сликата е за референца, ве молиме контактирајте не за да ја добиете вистинската слика
RM8N650T2
| Број на дел од производителот: | RM8N650T2 |
| Производителот: | Rectron USA |
| Дел од описот: | MOSFET N-CHANNEL 650V 8A TO220-3 |
| Статус без олово / статус RoHS: | Без олово / усогласен со RoHS |
| Состојба на залиха: | На залиха |
| Брод од: | Hong Kong |
| Начин на испорака: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- ЗАБЕЛЕШКА
- Rectron USA RM8N650T2 е достапен на chipnets.com. Продаваме само нов и оригинален дел и нудиме 1 година гаранција. Ако сакате да дознаете повеќе за производите или да примените повеќе подобра цена, ве молиме контактирајте со нас кликнете на Онлајн разговор или испратете ни понуда.
Сите компоненти на Eelctronics ќе се пакуваат многу безбедно со ESD антистатичка заштита.
Спецификација
| Тип | Опис |
|---|---|
| Серии | - |
| Пакет | Tube |
| Статус на дел | Active |
| Тип на FET | N-Channel |
| Технологија | MOSFET (Metal Oxide) |
| Исцедете го до напон на изворот (Vdss) | 650 V |
| Струја - Континуирано исцедување (Ид) @ 25 ° C | 8A (Tc) |
| Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 450mOhm @ 4A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
| Полнење на портата (Qg) (максимум) @ Vgs | - |
| Vgs (Макс) | ±30V |
| Внесен капацитет (Ciss) (максимум) @ Vds | 680 pF @ 50 V |
| ФЕТ Функција | - |
| Дисипација на моќност (макс.) | 80W (Tc) |
| Работна температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип на монтирање | Through Hole |
| Пакет со уреди за добавувачи | TO-220-3 |
| Пакет / случај | TO-220-3 |
Статус на акции: Испраќање истиот ден
Минимум: 1
| Квантитет | Единечната цена | лок. Цена |
|---|---|---|
Цената не е достапна, ве молиме побарајте RFQ |
||
Пресметка на товар
40 американски долари од FedEx.
Пристигнува за 3-5 дена
Експрес: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Бесплатна испорака на првите 0,5 кг за нарачки над 150 $, прекумерната тежина ќе се наплаќа посебно
Додадено во кошничка!
Оваа ставка е додадена во вашата кошничка.