Сликата е за референца, ве молиме контактирајте не за да ја добиете вистинската слика

SI4712DY-T1-GE3

Број на дел од производителот:	SI4712DY-T1-GE3
Производителот:	Vishay / Siliconix
Дел од описот:	MOSFET N-CH 30V 14.6A 8SO
Листови со податоци:	SI4712DY-T1-GE3 Листови со податоци
Статус без олово / статус RoHS:	Без олово / усогласен со RoHS
Состојба на залиха:	На залиха
Брод од:	Hong Kong
Начин на испорака:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ЗАБЕЛЕШКА: Vishay / Siliconix SI4712DY-T1-GE3 е достапен на chipnets.com. Продаваме само нов и оригинален дел и нудиме 1 година гаранција. Ако сакате да дознаете повеќе за производите или да примените повеќе подобра цена, ве молиме контактирајте со нас кликнете на Онлајн разговор или испратете ни понуда.

Сите компоненти на Eelctronics ќе се пакуваат многу безбедно со ESD антистатичка заштита.

package

Спецификација

Тип	Опис
Серии	SkyFET®, TrenchFET®
Пакет	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Статус на дел	Obsolete
Тип на FET	N-Channel
Технологија	MOSFET (Metal Oxide)
Исцедете го до напон на изворот (Vdss)	30 V
Струја - Континуирано исцедување (Ид) @ 25 ° C	14.6A (Tc)
Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	13mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Полнење на портата (Qg) (максимум) @ Vgs	28 nC @ 10 V
Vgs (Макс)	±20V
Внесен капацитет (Ciss) (максимум) @ Vds	1084 pF @ 15 V
ФЕТ Функција	-
Дисипација на моќност (макс.)	2.5W (Ta), 5W (Tc)
Работна температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип на монтирање	Surface Mount
Пакет со уреди за добавувачи	8-SO
Пакет / случај	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

ОПЦИИ ЗА КУПУВАЊЕ

Статус на акции: Испраќање истиот ден

Минимум: 1

Квантитет	Единечната цена	лок. Цена
Цената не е достапна, ве молиме побарајте RFQ

Пресметка на товар

40 американски долари од FedEx.

Пристигнува за 3-5 дена

Експрес: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Бесплатна испорака на првите 0,5 кг за нарачки над 150 $, прекумерната тежина ќе се наплаќа посебно

Популарни модели

Оваа ставка е додадена во вашата кошничка.