Сликата е за референца, ве молиме контактирајте не за да ја добиете вистинската слика

DF11MR12W1M1B11BOMA1

Број на дел од производителот:	DF11MR12W1M1B11BOMA1
Производителот:	Rochester Electronics
Дел од описот:	IGBT MODULE
Листови со податоци:	DF11MR12W1M1B11BOMA1 Листови со податоци
Статус без олово / статус RoHS:	Без олово / усогласен со RoHS
Состојба на залиха:	На залиха
Брод од:	Hong Kong
Начин на испорака:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ЗАБЕЛЕШКА: Rochester Electronics DF11MR12W1M1B11BOMA1 е достапен на chipnets.com. Продаваме само нов и оригинален дел и нудиме 1 година гаранција. Ако сакате да дознаете повеќе за производите или да примените повеќе подобра цена, ве молиме контактирајте со нас кликнете на Онлајн разговор или испратете ни понуда.

Сите компоненти на Eelctronics ќе се пакуваат многу безбедно со ESD антистатичка заштита.

package

Спецификација

Тип	Опис
Серии	*
Пакет	Bulk
Статус на дел	Active
Тип на FET	2 N-Channel (Dual)
ФЕТ Функција	Silicon Carbide (SiC)
Исцедете го до напон на изворот (Vdss)	1200V (1.2kV)
Струја - Континуирано исцедување (Ид) @ 25 ° C	50A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	23mOhm @ 50A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id	5.5V @ 20mA
Полнење на портата (Qg) (максимум) @ Vgs	125nC @ 5V
Внесен капацитет (Ciss) (максимум) @ Vds	3950pF @ 800V
Моќност - Макс	20mW
Работна температура	-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип на монтирање	Chassis Mount
Пакет / случај	Module
Пакет со уреди за добавувачи	Module

ОПЦИИ ЗА КУПУВАЊЕ

Статус на акции: 83

Минимум: 1

Квантитет	Единечната цена	лок. Цена
Цената не е достапна, ве молиме побарајте RFQ

Пресметка на товар

40 американски долари од FedEx.

Пристигнува за 3-5 дена

Експрес: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Бесплатна испорака на првите 0,5 кг за нарачки над 150 $, прекумерната тежина ќе се наплаќа посебно

Популарни модели

	DF11MR12W1M1B11BOMA1 Rochester Electronics
	DF11MR12W1M1B11BPSA1 IR (Infineon Technologies)
	DF11MR12W1M1PB11BPSA1 IR (Infineon Technologies)

Оваа ставка е додадена во вашата кошничка.