Сликата е за референца, ве молиме контактирајте не за да ја добиете вистинската слика

NCV33152DR2G

Број на дел од производителот:	NCV33152DR2G
Производителот:	Rochester Electronics
Дел од описот:	BUFFER/INVERTER BASED MOSFET DRI
Листови со податоци:	NCV33152DR2G Листови со податоци
Статус без олово / статус RoHS:	Без олово / усогласен со RoHS
Состојба на залиха:	На залиха
Брод од:	Hong Kong
Начин на испорака:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ЗАБЕЛЕШКА: Rochester Electronics NCV33152DR2G е достапен на chipnets.com. Продаваме само нов и оригинален дел и нудиме 1 година гаранција. Ако сакате да дознаете повеќе за производите или да примените повеќе подобра цена, ве молиме контактирајте со нас кликнете на Онлајн разговор или испратете ни понуда.

Сите компоненти на Eelctronics ќе се пакуваат многу безбедно со ESD антистатичка заштита.

package

Спецификација

Тип	Опис
Серии	-
Пакет	Bulk
Статус на дел	Active
Управувана конфигурација	Low-Side
Тип на канал	Independent
Број на возачи	2
Тип на порта	N-Channel MOSFET
Напон - Набавка	6.1V ~ 18V
Логички напон - VIL, VIH	0.8V, 2.6V
Струја - Врвен излез (извор, мијалник)	1.5A, 1.5A
Тип на влез	Non-Inverting
Висок напон на страната - максимум (лента за подигање)	-
Време на пораст / пад (тип)	36ns, 32ns
Работна температура	-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип на монтирање	Surface Mount
Пакет / случај	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Пакет со уреди за добавувачи	8-SOIC

ОПЦИИ ЗА КУПУВАЊЕ

Статус на акции: 16794

Минимум: 1

Квантитет	Единечната цена	лок. Цена
Цената не е достапна, ве молиме побарајте RFQ

Пресметка на товар

40 американски долари од FedEx.

Пристигнува за 3-5 дена

Експрес: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Бесплатна испорака на првите 0,5 кг за нарачки над 150 $, прекумерната тежина ќе се наплаќа посебно

Популарни модели

	NCV33152DR2 Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	NCV33152DR2G Rochester Electronics

Оваа ставка е додадена во вашата кошничка.